ワイドバンドギャップ半導体市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、およびトレンド洞察分析―製品別、エンドユーザー別、および地域別―世界予測2024―2036 年

ワイドバンドギャップ半導体 市場規模

ワイドバンドギャップ半導体市場に関する当社の調査レポートによると、市場は予測期間中に約 25% の CAGR で成長し、2036 年までに約 360億米ドルの価値に達すると予想されています。さらに、2024年のワイドバンドギャップ半導体市場規模は適度なペースで成長すると予想されます。しかし、当社の調査アナリストによると、2023 年の ワイドバンドギャップ半導体市場の収益は 20億米ドルになると記録されています。

ワイドバンドギャップ半導体 市場分析

ワイドバンドギャップ半導体は、産業規模のパワーエレクトロニクスにおける効率の向上とクリーンエネルギー技術の制御を可能にします。広いバンドギャップにより、電子部品の小型化、高速化、効率化が可能になります。

再生可能エネルギーの成長と 5G 技術の利用により、ワイドバンドギャップ半導体の市場が世界的に拡大する可能性が高まります。

 日本の場合、サプライチェーンのダイナミクスが最大の課題であり、望ましい市場を達成する上での阻害要因となっています。世界のエレクトロニクスサプライチェーンにおける日本の立場と国際的な半導体メーカーとの協力は、ワイドバンドギャップ半導体の入手可能性と採用に影響を与える可能性があります。当社の分析によると、サプライチェーン管理ソフトウェアからの収益は2024年末に7.2億米ドルとなり、3.30%の割合で成長し、2028年までにほぼ8.2億米ドルに達すると予想されています。したがって、これは試みです。サプライチェーンの状況を克服し、日本のワイドバンドギャップ半導体市場の望ましい成長を達成します。

市場の将来の側面は、政府の取り組みと規制、そして製造プロセスを適応させる際の高い初期コストや限られたインフラストラクチャなどの課題にどれだけうまく適応できるかにかかっています。

当社のワイドバンドギャップ半導体市場分析によると、次の市場傾向と要因が市場成長の中核要因として寄与すると予測されています。

• パワー エレクトロニクスの需要の増大: 炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などのワイドバンドギャップ半導体は、パワー エレクトロニクス アプリケーションで優れた性能を発揮することで知られています。電気自動車 (EV)、再生可能エネルギー システム、産業用電源などのアプリケーションのパワー デバイスでの使用が増えています。当社の分析によると、家電業界の収益は 2024 年に 6,664 億米ドルに達すると予測されており、予測期間中に増加すると見込まれています。
• 電気自動車 (EV) の採用の増加: 自動車業界の電気自動車への移行は、ワイドバンドギャップ半導体の重要な推進力となっています。これらの半導体は、より高い効率と電力密度を実現し、電気自動車の性能向上と航続距離の延長に貢献します。当社の分析によると、2024 年に電気自動車業界の収益は世界中でほぼ 6,234 億ドルに達し、業界は 2024―2028 年に 9.8% の率で成長すると予想されています。

日本の地元企業にとってワイドバンドギャップ半導体市場の世代ポケットです？

広いバンドギャップは、日本のエレクトロニクス産業の潜在的な成長原動力です。重要な成長分野をターゲットにすることで、日本の市場関係者はワイドバンドギャップ半導体業界のさまざまな収益創出ポケットを探索できます。

広帯域半導体は、パワーエレクトロニクス、産業オートメーション、その他多くの分野で応用されています。炭化ケイ素と窒化ガリウムは、熱伝導率が高く効率が高いため、パワーエレクトロニクスに使用されます。

政府の政策は、日本の半導体産業の形成にも重要な役割を果たします。政府は、この地域におけるワイドバンドギャップ半導体産業の成長を促進する政策の実行に取り組んできました。当社の分析によると、日本政府は2023年に国内の半導体生産を支援するための基金として133億米ドルを割り当てると発表しました。

研究開発に従事する地元企業に奨励金や補助金が提供されることが多く、半導体業界での新技術の導入を促進します。私たちの分析によると、2023年に日本政府は、パワー半導体の安定供給を確保するために、国内半導体メーカーであるロームと東芝に9億米ドルの補助金を提供しました。国内半導体メーカーに対する政府の支援が増えるにつれ、日本の地元企業は市場で成長する十分な機会を見つけることになります。

市場課題

高い初期コストが市場の阻害要因となっています。炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などのワイドバンドギャップ半導体は、従来のシリコンベースの半導体よりも製造コストが高くなる可能性があります。初期費用が高いと、これらのテクノロジーの広範な導入が妨げられる可能性があります。

ワイドバンドギャップ半導体 調査の場所

北米（米国およびカナダ）、ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ）、ヨーロッパ（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC（フィンランド、スウェーデン、ノルウェー） 、デンマーク）、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、アジア太平洋（中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア） 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域）、中東およびアフリカ（イスラエル、GCC（サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン）、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)

競争力ランドスケープ

ワイドバンドギャップ半導体業界の概要と競争のランドスケープ

SDKI Inc. の調査者によると、ワイドバンドギャップ半導体市場は、大企業と中小規模の組織といったさまざまな規模の企業間の市場競争により細分化されています。市場関係者は、製品や技術の発売、戦略的パートナーシップ、コラボレーション、買収、拡張など、あらゆる機会を利用して市場での競争優位性を獲得しています。

世界のワイドバンドギャップ半導体市場の成長に重要な役割を果たす主要な主要企業には、Exagon Holding Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、 ST Microelectronics、 Qorvo Inc.などが含まれます。 さらに、日本のワイドバンドギャップ半導体市場のトップ5プレーヤーは、Toshiba Corporation、ROHM Semiconductor、Mitsubishi Electric Company、 Panasonic Corporation、 Sanken Electric Companyなどです。 この調査には、世界のワイドバンドギャップ半導体市場分析レポートにおける詳細な競合分析、企業概要、最近の動向、およびこれらの主要企業の主要な市場戦略が含まれています。

ワイドバンドギャップ半導体市場ニュース

• 2023年12月、Japan's Ministry of Economy, Trade and Industry (METI)は、半導体の安定供給を確保するため、ロームと東芝が提示した計画を承認しました。両社はSiCおよびシリコンパワーデバイスの量産拡大に向けて協力します。
• 2024 年 1 月、Silvaco Group, Inc. は、TCAD、EDA ソフトウェア、設計 IP のプロバイダーである、効率的な窒化ガリウム (GaN) パワーデバイスの開発を支援する GaN Valley との提携を発表しました。これにより、顧客は Victory TCAD プラットフォームを探索できるようになります。