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GaN RF半導体デバイス市場ーアプリケーション別(ワイヤレスインフラ、電力貯蔵、衛星通信、PVインバータ、その他)、エンドユーザー別、材料別および地域別ー予測2024-2036年

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GaN RF半導体デバイス 市場規模

GaN RF半導体デバイス市場は、2023年に約30億米ドルを獲得しており、予測期間中に約 13% の CAGR で成長すると予想されます。さらに、世界のGaN RF半導体デバイス市場は、2036 年までに約110億米ドルに達すると予想されています。

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GaN RF半導体デバイス 市場分析

市場概況

GaN RF半導体デバイスは、RF(Radio Frequency)アプリケーションで使用される電子部品です。携帯電話やWi-Fiルーターなどの通信機器に使用され、従来のシリコン系部品に比べ、高い電力効率と性能を実現しています。5G対応デバイスの需要増加とモノのインターネット(IoT)の普及が、GaN RF半導体デバイス市場の成長を促進する大きな要因となっています。スマートホームからコネクテッドカーまで、日常生活におけるテクノロジーの利用が進むにつれ、より多くのデバイスがインターネットに接続されるようになっています。

市場の主要な動向

2023年12月12日: Global Semiconductor Alliance(GSA)は、Qorvo Inc.に2023年の同カテゴリーにおけるMost Respected Public Semiconductor Company賞を授与しました。この賞は、半導体業界における同社の卓越した取り組み、イノベーションへの献身、新技術の開発におけるリーダーシップが評価されたものです。

2021年11月18日のことです: GaNパワー半導体(窒化ガリウム)のグローバルリーダーの一社であるGaN Systemsは、自動車、民生、産業、企業市場において製品ポートフォリオを拡大するため、150百万米ドルを投資することを発表しました。

成長要因:

5G対応デバイスの需要が増加、2024年末までに101億の5G契約が存在する可能性、全モバイル5G接続の8.9%に過ぎない。アクセンチュアによる5Gの統計情報。2024年には、5G対応スマートフォンの出荷台数は65%にも達する可能性がある。 さらに より高いデータレート、より速い速度、より良い接続性への需要の高まり、テレ密度は84.88%、2023年4月現在、ブロードバンド総契約数は2023年4月まで788.77百万に増加、総契約者数は2023年4月に16.6億円に達しています。

また世界中に接続されているIoTデバイスの数は130億個以上と言われています。2030年には、260億台のIoTデバイスが市場に出回ると予測されています。そして、現在、約380~400のIoTプラットフォームが活動しています。モノのインターネット(IoT)は、センサーとソフトウェアを使用してデータを収集、交換、行動する物理的なオブジェクトのネットワークです。IoTの普及は、コネクテッドカー、スマートビル、医療機器などのIoTアプリケーションで使用されるGaN RF半導体デバイスの需要増加に寄与すると予想されます。

GaN RF半導体デバイスの製造に関連する高コストは、GaN RF半導体デバイスの市場成長を阻害する要因の1つであると予想されます。現在の市場では、GaN基板は非常に高価な傾向にあり、2インチサイズの基板は1,900―2000米ドル近い価格となっています。GaN RF半導体デバイスは、特殊な材料や製造技術を必要とするため、生産コストが高くつく。このため、一部の企業が市場に参入できず、市場成長が制限されることが予想されます。

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サンプル納品物ショーケース

この市場の主要な成長要因のいくつかを理解します。 PDFをダウンロード

GaN RF半導体デバイス 市場レポートの洞察

主要な市場の洞察

CAGR

13%

予測年

2024-2036年

基準年

2023年

予測年の市場価値

約110億米ドル

世界のGaN RF半導体デバイス市場のセグメント

アプリケーションに基づいて、ワイヤレスインフラセグメントは、2036年までに最大のGaN RF半導体デバイス市場シェアを占めると予想されます。このセグメントの需要は、さまざまな国で5Gネットワークの展開が増加していることを理由に上昇すると予想されます。2024年末までに、世界中で5Gサービスへの加入が10億件以上になると推定されています。さらに、2024年には、5G対応スマートフォンの67%が世界で出荷されると言われています。ストリーミングサービス、モノのインターネットアプリケーション、その他のデータ集約的なタスクの増加に伴い、無線インフラの改善に対するニーズは高まっています。5Gネットワークは、現在のネットワークよりも高速で信頼性が高いため、より強力なコンポーネントが必要となります。GaN RF半導体デバイスは、従来の半導体デバイスよりも効率的で消費電力が少ないため、5Gネットワークの展開に不可欠なコンポーネントとなります。

エンドユーザーに基づいて、、IT・テレコムは予測期間にGaN RF半導体デバイス市場の収益で大きなシェアを占めると予想されます。このサブカテゴリーの成長の主な理由は、5Gハンドセット、ネットワークインフラ機器、携帯電話やノートパソコンなどの民生用電子機器の需要の増加が、IT&テレコム分野の成長を牽引していることです。例えば、インド経済におけるIT&ビジネスサービスは、2025年までに200億米ドルを超えると予想されています。2023年4月、インドの通信密度は85%に達し、ブロードバンド総加入数は785百万件、総加入者数は112億人に達しています。また、テクノロジーの急速な発展とインターネットやモバイル技術の台頭により、人々や企業間のコミュニケーションがより効率的に行われるようになり、これらの分野が盛んになることが予想されます。

アプリケーション別

  • ワイヤレスインフラ
  • 電力貯蔵
  • 衛星通信
  • PVインバータ
  • その他

エンドユーザー別

  • 航空宇宙・防衛
  • IT・テレコム
  • コンシューマーエレクトロニクス
  • オートモーティブ
  • その他

材料別

  • GaN-On-SiC
  • GaN-on-Silicon
  • GaN-On-Diamond(ガン・オン・ダイヤモンド)

世界のGaN RF半導体デバイス市場の地域概要

北米地域は、予測期間中に最も速い速度で成長するため、GaN RF半導体デバイスにおいて最も有利な機会を提供すると予想さ れます。2036年まで、北米の地域市場は、同地域の強固な航空宇宙・防衛産業インフラにより、36%のCAGRで成長すると予想されています。世界最大の航空宇宙産業である米国には、Lockheed Martin Corp、Raytheon Technologies Corp、The Boeing Co、General Dynamics Corp、Northrop Grumman Corpなどの航空宇宙・防衛産業のトップ企業があります。米国の大手航空宇宙・防衛企業であるロッキード・マーチン社の2021年12月期の売上高は67040百万米ドルで、前年比2.6%増となりました。GaN RF半導体は、電力、効率、サイズの面で優れた性能を持つことから、航空宇宙・防衛産業での利用が拡大しています。これらの利点により、通信システムからレーダーまで、幅広いアプリケーションに最適です。

ヨーロッパ地域は、GaN RF半導体デバイスの市場において著しい成長が期待される地域の一つです。ヨーロッパでは、自動車産業やハイテク産業でGaN RF半導体デバイスの需要が高まっており、予測期間中に約19%の成長が見込まれています。GaN RF半導体デバイスは、従来のシリコンベースの半導体デバイスよりも優れた性能を持つため、自動車分野での人気が高まっています。GaNデバイスは、電力効率が高く、動作周波数が高く、熱管理が優れているため、自動車分野での使用に適しています。また、ヨーロッパには大手半導体メーカーが複数存在するため、同地域は半導体デバイスの生産拠点となっており、市場の成長を後押ししています。

北米

  • 米国
  • カナダ

ヨーロッパ

  • ドイツ
  • フランス
  • イギリス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ロシア
  • その他のヨーロッパ

アジア太平洋地域

  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • シンガポール
  • その他のアジア太平洋地域

ラテンアメリカ

  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • メキシコ
  • その他のラテンアメリカ

中東とアフリカ

  • GCC
  • イスラエル
  • 南アフリカ
  • その他の中東とアフリカ

アジア太平洋地域は、予測期間中に世界のGaN RF半導体デバイス市場の収益で大きなシェアを占めると予想されるもう一つの地域です。この地域は、インド、中国、日本などの国々で、高度な通信機器や携帯電話の需要の増加、5G技術への投資の増加により、2023年には市場の28%の収益シェアを占めています。さらに、エレクトロニクス産業の成長により、日本は2036年までにGaN RF半導体デバイスの需要において主要国のひとつになると予想されています。例えば、日本におけるエレクトロニクスの総生産額は、2023年には約12兆円に達したと推定されており、日本におけるエレクトロニクス産業の堅調な成長を示しています。GaN RF半導体デバイスは、低消費電力、高速スイッチング、広帯域動作により、エレクトロニクス産業でますます人気が高まっています。増幅器、スイッチ、アンテナシステムなど、さまざまな用途に使用されています。

GaN RF半導体デバイス 調査の場所

北米(米国およびカナダ)、ラテンアメリカ(ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)、ヨーロッパ(英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC(フィンランド、スウェーデン、ノルウェー) 、デンマーク)、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、アジア太平洋(中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア) 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域)、中東およびアフリカ(イスラエル、GCC(サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン)、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)

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競争力ランドスケープ

GaN RF半導体デバイス市場の主なプレーヤー・メーカーには、GaN Systems、Qorvo Inc.、Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)、Broadcom Inc.、Texas Instruments Incorporated、Toshiba Corporation、NXP Semiconductor、Infineon Technologies AG、NexgenPowerSystems、Fujitsu Ltd.などがあります。この調査には、世界のGaN RF半導体デバイス市場におけるこれらの主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の動向、および主要な市場戦略が含まれています。

GaN RF半導体デバイス 主な主要プレーヤー

主要な市場プレーヤーの分析

1
GaN Systems
2
Qorvo Inc
3
Wolfspeed Inc
4
Broadcom Inc
5
Texas Instruments Incorporated
6
Toshiba Corporation
7
NXP Semiconductor
8
Infineon Technologies AG
9
NexgenPowerSystems
10
Fujitsu Ltd
Graphs
Source: SDKI Analytics

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