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GaN パワーデバイス市場調査レポート 規模とシェア、主要メーカー、成長傾向、分析―デバイス別、電圧範囲別、垂直別、アプリケーション別、および地域別―世界市場の見通しと予測 2025―2037年

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GaN パワーデバイス 市場調査概要

  • 調査目的: この調査の目的は、GaN パワー デバイス市場に関連する消費者の嗜好、最近の市場動向、規模、シェア、および潜在的な成長機会についての洞察を得ることです。
  • 調査範囲: 501 の回答者を対象にアンケートを実施
  • 調査場所: 全世界
  • 調査方法:定性的/定量的アンケート調査および直接インタビュー
  • 調査サンプルサイズの分岐: 現地調査201件、インターネット調査300件
  • 調査期間:2024年11月-2024年12月

GaNパワーデバイス市場: 重要な調査結果

  • 電気自動車(EV)におけるGaNパワーデバイスの採用拡大:

    • 回答者の 72% は、EV セクターにおける急速充電ソリューションの必要性が、車載充電器や DC-DC コンバーターにおける GaN ベースのパワー デバイスの採用増加に直接貢献していると強調しました。
    • 自動車業界の専門家の 65% は、GaN デバイスは効率が高く、高電力密度に対応できるため、EV パワー エレクトロニクスでますます採用されつつあると述べています。
  • 再生可能エネルギーの統合への注目の高まり:
    • フィードバック提供者の 75% は、効率的な電力変換と管理を促進する再生可能エネルギー システムの使用が、予測期間中の GaN パワー デバイス市場のゲームチェンジャーになると強調しました。

GaN パワーデバイス 市場規模

GaNパワーデバイス市場の調査レポートによると、SDKI Analyticsのアナリストは次のような結論を出しています:

  • 20252037 年の CAGR:  49%
  • 2037年の予想市場規模:  129億米ドル
  • 2024年の市場規模:  37億米ドル


GaN パワーデバイス 市場分析

ワイヤレス充電における GaN パワーデバイスの使用が継続的に増加していることは、GaN パワーデバイス市場を世界中で牽引すると予測される主な要因の 1 つです。

日本では、電気自動車市場の堅調な成長により市場が拡大する可能性があります。また、日本には世界的に有名な電気自動車メーカーがいくつか存在しており、市場の成長機会がいくつか生まれることも期待されています。

当社のアナリストは、HVDC およびスマートグリッドにおける GaN パワーデバイスの利用率が低いことが、市場の成長を阻む主な要因の 1 つになると予測しています。

GaNパワーデバイス市場のセグメンテーション

当社は、GaNパワーデバイス市場の見通しに関連するさまざまなセグメントの需要と機会を説明する調査を実施しました。市場をデバイス別、電圧範囲別、垂直別、およびアプリケーション別にセグメント化しました。

GaNパワーデバイス市場セグメンテーションの重要なポイント:

  • デバイス:
    • 最大のシェアを占めるセグメント: GaN パワー モジュール
    • 2037年の予想株式価値: 約29%
  • 電圧範囲:
    • 最大のシェアを占めるセグメント: 600ボルト以上
    • 2037年の予想株式価値: 約50%

GaNパワーデバイス市場はさらに次のように分割されます:

デバイス

  • GaN HEMT
  • GaN FET
  • GaN パワー IC
  • GaN パワー モジュール
  • GaN ショットキー ダイオード
  • GaN RF パワー アンプ

電圧範囲

  • <200ボルト
  • 200-600ボルト
  • 600ボルト以上

垂直

  • 医療
  • 軍事、防衛、航空宇宙
  • 再生可能エネルギー
  • 工業
  • 家電製品
  • IT および通信
  • 自動車
  • 航空宇宙および防衛

アプリケーション

  • パワードライブ
  • 電源およびインバーター
  • 無線周波数
  • ヘルスケア
  • その他

サンプル納品物ショーケース

この市場の主要な成長要因のいくつかを理解します。 PDFをダウンロード

GaN パワーデバイス 市場の傾向分析と将来予測:地域市場の見通しの概要

アジア太平洋地域の GaN パワーデバイス市場は、半導体製造の増加により成長すると予想されています。アジア太平洋地域には、先進的な半導体製造に多額の投資を行っている主要な半導体製造国がいくつか存在します。半導体企業が革新と拡大を続けるにつれて、GaN デバイスの生産が勢いを増し、多くの企業が GaN オン シリコン技術に注力して製造コストを削減し、供給を増やすことになります。

北米では、GaN パワーデバイス市場規模は緩やかなペースで成長すると予想されています。この成長は、5G と通信インフラの成長によるものです。北米全域での 5G ネットワークの展開により、先進的なパワーエレクトロニクスの需要が高まっています。GaN パワーデバイスは、低電力損失で高周波で動作できるため、5G 基地局、データセンター、その他の通信機器に不可欠です。

GaNパワーデバイス市場地域セグメンテーションの重要なポイント:

  • 最大のシェアを占めるセグメント: 北米
  • 2037年の予想株式価値: 約33%

GaNパワーデバイス市場に関する当社の調査レポートは、地域に基づいてさらに細分化されています:

北米

  • 米国
  • カナダ

ヨーロッパ

  • ドイツ
  • フランス
  • イギリス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ロシア
  • その他のヨーロッパ

アジア太平洋地域

  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • シンガポール
  • その他のアジア太平洋地域

ラテンアメリカ

  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • メキシコ
  • その他のラテンアメリカ

中東とアフリカ

  • GCC
  • イスラエル
  • 南アフリカ
  • その他の中東とアフリカ

GaN パワーデバイス 主な主要プレーヤー

主要な市場プレーヤーの分析

1
Cree Inc
2
Infineon Technologies AG
3
STMicroelectronics International N.V
4
Texas Instruments Incorporated
5
NXP Semiconductors N.V

日本市場のトップ 5 プレーヤー

1
Panasonic Corporation
2
Toshiba Corporation
3
Mitsubishi Electric Corporation
4
Sumitomo Electric Industries Ltd
5
ROHM Co.Ltd.
Graphs
Source: SDKI Analytics

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